SSM6N57NU,LF
- Osa numero:
- SSM6N57NU,LF
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 50770 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- SSM6N57NU,LF.pdf
esittely
We can supply SSM6N57NU,LF, use the request quote form to request SSM6N57NU,LF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SSM6N57NU,LF.The price and lead time for SSM6N57NU,LF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SSM6N57NU,LF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-SSM6N57NU,LF |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Toimittaja Device Package: | 6-µDFN(2x2) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 46 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Virta - Max: | 1W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | SSM6N57NU,LF(B SSM6N57NU,LF(T SSM6N57NULF SSM6N57NULF(TTR SSM6N57NULF(TTR-ND SSM6N57NULFTR |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 310pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SSM6N57NU,LF
Latest News
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- Toshiba julkaisi ensimmäisen 200V transistorilähdön auto optoerotin
- TOSHIBA tuo markkinoille korkean aaltoilun hylkäyssuhteen ja matalan melutason LDO-säätimen, jolla on parempi voimajohtojen vakaus
- TOSHIBA esitteli kevyet ja ohuet optoerottimet IGBT- ja MOSFET-porttiasemille, korkean lämpötilan toiminnalle, takapuolelle tai korkeudelle rajoitetut asennot: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA tuo markkinoille erilliset IGBT-laitteet, jotka auttavat vähentämään kodinkoneiden virrankulutusta ja säteilyä: GT30J110SRA
- Toshiba tuo markkinoille 5A 2-kanavan H-sillan moottoriohjaimen IC autosovelluksiin
- Toshiba tuo markkinoille 5 uutta TXZ + ™ -perheen edistynyttä mikrokontrolleria pienen virrankulutuksen, tukijärjestelmän pienentämisen ja moottorin ohjauksen saavuttamiseksi