SIA910EDJ-T1-GE3
SIA910EDJ-T1-GE3
Osa numero:
SIA910EDJ-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
56512 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SIA910EDJ-T1-GE3.pdf

esittely

We can supply SIA910EDJ-T1-GE3, use the request quote form to request SIA910EDJ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIA910EDJ-T1-GE3.The price and lead time for SIA910EDJ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIA910EDJ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SIA910EDJ-T1-GE3
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Virta - Max:7.8W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Muut nimet:SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 8V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.5A
Perusosan osanumero:SIA910E
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit