Sisäinen osanumero | RO-SIA519EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Virta - Max: | 7.8W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Muut nimet: | SIA519EDJ-T1-GE3TR SIA519EDJT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET tyyppi: | N and P-Channel |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
Perusosan osanumero: | SIA519 |
Email: | [email protected] |