SI8261ABC-C-IS
- Osa numero:
- SI8261ABC-C-IS
- Valmistaja:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Kuvaus:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 33652 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- SI8261ABC-C-IS.pdf
esittely
We can supply SI8261ABC-C-IS, use the request quote form to request SI8261ABC-C-IS pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI8261ABC-C-IS.The price and lead time for SI8261ABC-C-IS depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI8261ABC-C-IS.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-SI8261ABC-C-IS |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Supply: | 9.4 V ~ 30 V |
| Jännite - Isolation: | 3750Vrms |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (tyyppi): | 2.8V (Max) |
| teknologia: | Capacitive Coupling |
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rise / Fall Time (tyyppinen): | 5.5ns, 8.5ns |
| Pulssileveyden särö (maksimi): | 28ns |
| Lähetysviive tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | 336-4698 SI8261ABC-C-IS-ND |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 125°C |
| Kanavien lukumäärä: | 1 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| Nykyinen - Huipputeho: | 600mA |
| Nykyinen - Output Korkea, Matala: | 400mA, 600mA |
| Nykyinen - DC eteenpäin (jos) (maksimi): | 30mA |
| Tavallinen tilapäinen kosketus (min): | 35kV/µs |
| Hyväksynnät: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI8261ABC-C-IS
Latest News
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen
- Vishay lanseerasi uuden 10 MBD: n matalan voimanvalokytkimen, niin alhainen kuin 5 Ma, jännitealue on 2,7 V -5,5 V
- Melexis käynnisti uuden älykkään ohjausratkaisun luotettavan turvallisuuden integroimiseksi
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- DDR5 -aikakausi on lähestymässä, ja uusia haasteita ei voida sivuuttaa
- Renesas avaa seuraavan sukupolven Car SOC- ja MCU -prosessorin tuoteraittikartan