SI5504DC-T1-GE3
SI5504DC-T1-GE3
Osa numero:
SI5504DC-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
61863 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SI5504DC-T1-GE3.pdf

esittely

We can supply SI5504DC-T1-GE3, use the request quote form to request SI5504DC-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI5504DC-T1-GE3.The price and lead time for SI5504DC-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI5504DC-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SI5504DC-T1-GE3
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Toimittaja Device Package:1206-8 ChipFET™
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 2.9A, 10V
Virta - Max:1.1W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SMD, Flat Lead
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 10V
FET tyyppi:N and P-Channel
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.9A, 2.1A
Perusosan osanumero:SI5504
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit