SI4992EY-T1-GE3
Osa numero:
SI4992EY-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
52247 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SI4992EY-T1-GE3.pdf

esittely

We can supply SI4992EY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4992EY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4992EY-T1-GE3.The price and lead time for SI4992EY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4992EY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SI4992EY-T1-GE3
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:48 mOhm @ 4.8A, 10V
Virta - Max:1.4W
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SI4992EY-T1-GE3CT
SI4992EYT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 3.6A 1.4W Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.6A
Perusosan osanumero:SI4992
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit