SI4423DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4423DY-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
84169 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SI4423DY-T1-GE3.pdf

esittely

We can supply SI4423DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4423DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4423DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4423DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4423DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SI4423DY-T1-GE3
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 600µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:175nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Yksityiskohtainen kuvaus:P-Channel 20V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit