SI1926DL-T1-GE3
Osa numero:
SI1926DL-T1-GE3
Valmistaja:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
64750 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SI1926DL-T1-GE3.pdf

esittely

We can supply SI1926DL-T1-GE3, use the request quote form to request SI1926DL-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI1926DL-T1-GE3.The price and lead time for SI1926DL-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI1926DL-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SI1926DL-T1-GE3
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:SC-70-6 (SOT-363)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Virta - Max:510mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:SI1926DL-T1-GE3-ND
SI1926DL-T1-GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:18.5pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.4nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:370mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit