Sisäinen osanumero | RO-SI1077X-T1-GE3 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SC-89-6 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 330mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
Muut nimet: | SI1077X-T1-GE3-ND SI1077X-T1-GE3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 965pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31.1nC @ 8V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 20V 330mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |