SH8M13GZETB
SH8M13GZETB
Osa numero:
SH8M13GZETB
Valmistaja:
LAPIS Semiconductor
Kuvaus:
MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
65569 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
SH8M13GZETB.pdf

esittely

We can supply SH8M13GZETB, use the request quote form to request SH8M13GZETB pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SH8M13GZETB.The price and lead time for SH8M13GZETB depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SH8M13GZETB.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-SH8M13GZETB
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Toimittaja Device Package:8-SOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:29 mOhm @ 7A, 10V
Virta - Max:2W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SH8M13GZETBTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
FET tyyppi:N and P-Channel
FET Ominaisuus:-
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A, 7A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit