SE12DG-M3/I
- Osa numero:
- SE12DG-M3/I
- Valmistaja:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 78298 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- SE12DG-M3/I.pdf
esittely
We can supply SE12DG-M3/I, use the request quote form to request SE12DG-M3/I pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SE12DG-M3/I.The price and lead time for SE12DG-M3/I depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SE12DG-M3/I.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-SE12DG-M3/I |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.15V @ 12A |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 400V |
| Toimittaja Device Package: | TO-263AC (SMPD) |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 3µs |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Muut nimet: | SE12DG-M3/IGICT |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Diode Standard 400V 3.2A Surface Mount TO-263AC (SMPD) |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 20µA @ 400V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 3.2A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 90pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SE12DG-M3/I
Latest News
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen
- Vishay lanseerasi uuden 10 MBD: n matalan voimanvalokytkimen, niin alhainen kuin 5 Ma, jännitealue on 2,7 V -5,5 V
- Melexis käynnisti uuden älykkään ohjausratkaisun luotettavan turvallisuuden integroimiseksi
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- DDR5 -aikakausi on lähestymässä, ja uusia haasteita ei voida sivuuttaa
- Renesas avaa seuraavan sukupolven Car SOC- ja MCU -prosessorin tuoteraittikartan