PMGD8000LN,115
- Osa numero:
- PMGD8000LN,115
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 88429 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- PMGD8000LN,115.pdf
esittely
We can supply PMGD8000LN,115, use the request quote form to request PMGD8000LN,115 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMGD8000LN,115.The price and lead time for PMGD8000LN,115 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMGD8000LN,115.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-PMGD8000LN,115 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 100µA |
| Toimittaja Device Package: | 6-TSSOP |
| Sarja: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Virta - Max: | 200mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | 568-2370-2 934057621115 PMGD8000LN T/R |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 18.5pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.35nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PMGD8000LN,115
Latest News
- NXP tekee yhteistyötä Amazon Web Servicesin (AWS) kanssa laajentaakseen liiketoimintamahdollisuuksia yhdistetyissä ajoneuvoissa
- NXP Semiconductors julkistaa neljännesvuosittain osingon
- NXP Semiconductors ja Jefferies esittävät 5G RF -järjestelmän opetusta
- NXP laajentaa johtavaa asemaansa 5G-infrastruktuurissa toisen sukupolven RF-monisirumoduuleilla, jotka lisäävät taajuutta, tehoa ja tehokkuutta
- NXP julkisti täydellisen tutkatunnistinratkaisusarjan, joka pystyy ympäröimään ajoneuvon 360 asteen turvakokoon