PBLS1502V,115
- Osa numero:
- PBLS1502V,115
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 87739 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- PBLS1502V,115.pdf
esittely
We can supply PBLS1502V,115, use the request quote form to request PBLS1502V,115 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PBLS1502V,115.The price and lead time for PBLS1502V,115 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PBLS1502V,115.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-PBLS1502V,115 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V, 15V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA |
| transistori tyyppi: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Toimittaja Device Package: | SOT-666 |
| Sarja: | - |
| Vastus - emitteripohja (R2): | 4.7 kOhms |
| Vastus - pohja (R1): | 4.7 kOhms |
| Virta - Max: | 300mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet: | 568-7219-2 934058048115 PBLS1502V T/R PBLS1502V T/R-ND PBLS1502V,115-ND PBLS1502V115 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 280MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 15V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 1µA, 100nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA, 500mA |
| Perusosan osanumero: | PBLS1502 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat PBLS1502V,115
Latest News
- NXP tekee yhteistyötä Amazon Web Servicesin (AWS) kanssa laajentaakseen liiketoimintamahdollisuuksia yhdistetyissä ajoneuvoissa
- NXP Semiconductors julkistaa neljännesvuosittain osingon
- NXP Semiconductors ja Jefferies esittävät 5G RF -järjestelmän opetusta
- NXP laajentaa johtavaa asemaansa 5G-infrastruktuurissa toisen sukupolven RF-monisirumoduuleilla, jotka lisäävät taajuutta, tehoa ja tehokkuutta
- NXP julkisti täydellisen tutkatunnistinratkaisusarjan, joka pystyy ympäröimään ajoneuvon 360 asteen turvakokoon