NSVMUN5211DW1T3G
- Osa numero:
- NSVMUN5211DW1T3G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 84532 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- NSVMUN5211DW1T3G.pdf
esittely
We can supply NSVMUN5211DW1T3G, use the request quote form to request NSVMUN5211DW1T3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVMUN5211DW1T3G.The price and lead time for NSVMUN5211DW1T3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVMUN5211DW1T3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-NSVMUN5211DW1T3G |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| transistori tyyppi: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Sarja: | - |
| Vastus - emitteripohja (R2): | 10 kOhms |
| Vastus - pohja (R1): | 10 kOhms |
| Virta - Max: | 250mW |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | NSVMUN5211DW1T3GOSDKR |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 40 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NSVMUN5211DW1T3G
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)