NSVMUN5211DW1T3G
- Artikelnummer:
- NSVMUN5211DW1T3G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 84532 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NSVMUN5211DW1T3G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-NSVMUN5211DW1T3G |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
| Leistung - max: | 250mW |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | NSVMUN5211DW1T3GOSDKR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 40 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 35 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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