NSVMUN5211DW1T3G
- Номер на частта:
- NSVMUN5211DW1T3G
- Производител:
- ON Semiconductor
- описание:
- TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 84532 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- NSVMUN5211DW1T3G.pdf
Въведение
We can supply NSVMUN5211DW1T3G, use the request quote form to request NSVMUN5211DW1T3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVMUN5211DW1T3G.The price and lead time for NSVMUN5211DW1T3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVMUN5211DW1T3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-NSVMUN5211DW1T3G |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.): | 50V |
| Vce насищане (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Транзисторен тип: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Пакет на доставчик на устройства: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| серия: | - |
| Резистор - емитерна основа (R2): | 10 kOhms |
| Резистор - основа (R1): | 10 kOhms |
| Мощност - макс: | 250mW |
| Опаковка: | Original-Reel® |
| Пакет / касета: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Други имена: | NSVMUN5211DW1T3GOSDKR |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 40 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Честота - Преход: | - |
| Подробно описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| DC ток на печалба (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Ток - изключване на колектора (макс.): | 500nA |
| Ток - колектор (Ic) (макс.): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за NSVMUN5211DW1T3G
Latest News
- OnSemi стартира първия в света опаковка за такси 650 V силициев карбид MOSFET
- Комплектът за разработка на двигатели ON Semiconductor се фокусира първо върху енергийната ефективност
- ON Semiconductor’s silicon photomultiplier (SiPM) lidar platform с директно време на полет (dToF) предоставя готови дизайни за индустриални приложения
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International установяват партньорство за приложения за управление на двигателя
- ON Semiconductor назначава Hassane El-Khoury за главен изпълнителен директор (CEO)