HUF75631S3ST
- Osa numero:
- HUF75631S3ST
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 54546 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- HUF75631S3ST.pdf
esittely
We can supply HUF75631S3ST, use the request quote form to request HUF75631S3ST pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HUF75631S3ST.The price and lead time for HUF75631S3ST depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HUF75631S3ST.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-HUF75631S3ST |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Testi: | 1220pF @ 25V |
| Jännite - Breakdown: | D²PAK (TO-263AB) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 40 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | UltraFET™ |
| RoHS-tila: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 33A (Tc) |
| Polarisaatio: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | HUF75631S3ST-ND HUF75631S3STFSTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 9 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | HUF75631S3ST |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 79nC @ 20V |
| IGBT Tyyppi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Ominaisuus: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| kapasitanssi Ratio: | 120W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat HUF75631S3ST
Latest News
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen
- Vishay lanseerasi uuden 10 MBD: n matalan voimanvalokytkimen, niin alhainen kuin 5 Ma, jännitealue on 2,7 V -5,5 V
- Melexis käynnisti uuden älykkään ohjausratkaisun luotettavan turvallisuuden integroimiseksi
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- DDR5 -aikakausi on lähestymässä, ja uusia haasteita ei voida sivuuttaa
- Renesas avaa seuraavan sukupolven Car SOC- ja MCU -prosessorin tuoteraittikartan