HUF75631S3ST
- Parça Numarası:
- HUF75631S3ST
- Üretici firma:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 54546 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- HUF75631S3ST.pdf
Giriş
We can supply HUF75631S3ST, use the request quote form to request HUF75631S3ST pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HUF75631S3ST.The price and lead time for HUF75631S3ST depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HUF75631S3ST.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-HUF75631S3ST |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Gerilim - Deney: | 1220pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | D²PAK (TO-263AB) |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 40 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (Maks.): | 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | UltraFET™ |
| RoHS Durumu: | Tape & Reel (TR) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 33A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | HUF75631S3ST-ND HUF75631S3STFSTR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 9 Weeks |
| Üretici parti numarası: | HUF75631S3ST |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 79nC @ 20V |
| IGBT Tipi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100V |
| kapasitans Oranı: | 120W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
HUF75631S3ST için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Kapasitör çalışma prensibi
- Renesas, kendi gelişmiş CPU çekirdeğiyle evrensel 32 bit RISC-V MCU'yu başlatan ilk kişi
- Anmei'nin modern görsel sisteme bakan düşük güçlü görüntü sensörü üzerinde
- ADI, endüstrinin önde gelen 10MB otomobil Ethernet teknolojisini başlatmak için BMW Group ile işbirliği yapıyor ve yazılım tanımı otomobillerinde yeni bir bölüm açıyor
- Vishay, Endüstriyel ve Ses Uygulama Tasarımını Basitleştirerek ve Maliyetleri Optimize Eden Knob Potansiyometresini başlattı
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı