Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > EPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT
Osa numero:
EPC2111ENGRT
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
64631 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
EPC2111ENGRT.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply EPC2111ENGRT, use the request quote form to request EPC2111ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2111ENGRT.The price and lead time for EPC2111ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2111ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-EPC2111ENGRT
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5mA
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Virta - Max:-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC2111ENGRTR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus:GaNFET (Gallium Nitride)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat EPC2111ENGRT

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE tiedustelu
EPC2LC20EM Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC FPGA FBGA tiedustelu
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA tiedustelu
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR tiedustelu
EPC2815 Image EPC2815 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE tiedustelu
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE tiedustelu
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE tiedustelu
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER tiedustelu
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID tiedustelu
EPC2818 Image EPC2818 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2LC20 Image EPC2LC20 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC tiedustelu
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA tiedustelu
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE tiedustelu
EPC2LC20N Image EPC2LC20N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC tiedustelu
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER tiedustelu
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE tiedustelu
EPC2801 Image EPC2801 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE tiedustelu
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE tiedustelu

Latest News