EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
Osa numero:
EPC2104ENGRT
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
MOSFET 2NCH 100V 23A DIE
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
36396 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
EPC2104ENGRT.pdf

esittely

We can supply EPC2104ENGRT, use the request quote form to request EPC2104ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2104ENGRT.The price and lead time for EPC2104ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2104ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-EPC2104ENGRT
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5.5mA
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 5V
Virta - Max:-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC2104ENGRTR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus:GaNFET (Gallium Nitride)
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit