DMG6602SVTQ-7
DMG6602SVTQ-7
Osa numero:
DMG6602SVTQ-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
67155 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
DMG6602SVTQ-7.pdf

esittely

We can supply DMG6602SVTQ-7, use the request quote form to request DMG6602SVTQ-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMG6602SVTQ-7.The price and lead time for DMG6602SVTQ-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMG6602SVTQ-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-DMG6602SVTQ-7
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:TSOT-26
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 3.1A, 10V
Virta - Max:840mW
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Muut nimet:DMG6602SVTQ-7DIDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
FET tyyppi:N and P-Channel
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.4A, 2.8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit