BDW83B
Osa numero:
BDW83B
Valmistaja:
Central Semiconductor
Kuvaus:
POWER TRANSISTOR NPN TO218
RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Määrä varastossa:
36204 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
BDW83B.pdf

esittely

We can supply BDW83B, use the request quote form to request BDW83B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BDW83B.The price and lead time for BDW83B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BDW83B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-BDW83B
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:-
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-218
Sarja:-
Virta - Max:130W
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-218-3
Käyttölämpötila:-
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Contains lead / RoHS non-compliant
Taajuus - Siirtyminen:-
Yksityiskohtainen kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 15A 130W Through Hole TO-218
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 6A, 3V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):-
Nykyinen - Collector (le) (Max):15A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit