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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > QS6U24TR
QS6U24TR
QS6U24TR
Número de pieza:
QS6U24TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
39171 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.QS6U24TR.pdf2.QS6U24TR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-QS6U24TR
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.25W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:QS6U24DKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:90pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.7nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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