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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > QS6J11TR
QS6J11TR
QS6J11TR
Número de pieza:
QS6J11TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
66196 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.QS6J11TR.pdf2.QS6J11TR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-QS6J11TR
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:105 mOhm @ 2A, 4.5V
Potencia - Max:600mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A
Número de pieza base:*J11
Email:[email protected]

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