JAN2N6898
Número de pieza:
JAN2N6898
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad en inventario:
31813 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
JAN2N6898.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-JAN2N6898
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 15.8A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-204AA, TO-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:P-Channel 100V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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