JAN2N6849
- Número de pieza:
- JAN2N6849
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
- Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad en inventario:
- 68848 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- JAN2N6849.pdf
Introducción
We can supply JAN2N6849, use the request quote form to request JAN2N6849 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN2N6849.The price and lead time for JAN2N6849 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN2N6849.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-JAN2N6849 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-39 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-205AF Metal Can |
| Otros nombres: | JAN2N6849-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 34.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de JAN2N6849
Latest Noticias
- Toshiba lanza IC del controlador de la puerta de la serie SmartMCD con microcontrolador integrado
- ADI Deployment Sambanova Kit, promoviendo la fórmula de producción AI para lograr el avance a nivel empresarial
- Honeywell y Adi se unieron para promover la innovación y el cambio de la automatización de la construcción
- Maxim anunció el lanzamiento
- Maxim lanza un convertidor DC-DC de automóvil MAX16984, un automóvil con enumetas de carga USB integradas
- Renesas Electronics lanza el primer controlador eléctrico programable de la industria IC
- Renesas lanzó la primera generación de núcleos CPU RISC-V de 32 bits
- Vishay lanzó el nuevo acoplamiento de luz de baja potencia de 10 mbd, tan bajo como 5 mA, el rango de voltaje es de 2.7 V a 5.5 V
- MelExis lanzó una nueva solución inteligente de desviación para integrar una seguridad confiable
- Toshiba ha desarrollado el primer módulo MOSFET de doble carburo de 2200V de la industria para ayudar a la miniaturización eficiente y la miniaturización de los equipos industriales
- Se acerca la efectividad de DDR5 y no se pueden ignorar los nuevos desafíos
- Renesas abre el siguiente mapa de ruta del producto del procesador de automóviles y del procesador MCU