ECF840AAACN-C1-Y3
- Número de pieza:
- ECF840AAACN-C1-Y3
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 8G PARALLEL
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 30483 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ECF840AAACN-C1-Y3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-ECF840AAACN-C1-Y3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Serie: | - |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 8Gb (512M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel |
| Email: | [email protected] |
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