ALD1110ESAL
- Número de pieza:
- ALD1110ESAL
- Fabricante:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 85550 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ALD1110ESAL.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-ALD1110ESAL |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.01V @ 1µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | EPAD® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 500 Ohm @ 5V |
| Potencia - Max: | 600mW |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 10V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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