Interne Teilenummer | RO-W9825G6KH-6I |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse: | 54-TSOP II |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 256Mb (16M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II |
Uhrfrequenz: | 166MHz |
Zugriffszeit: | 5ns |
Email: | [email protected] |