Interne Teilenummer | RO-W9412G6KH-5 TR |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
Spannungsversorgung: | 2.3 V ~ 2.7 V |
Technologie: | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse: | 66-TSOP II |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen: | W9412G6KH-5 TR-ND W9412G6KH-5TR |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 128Mb (8M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II |
Uhrfrequenz: | 200MHz |
Zugriffszeit: | 50ns |
Email: | [email protected] |