Interne Teilenummer | RO-TSM80N1R2CP ROG |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-252, (D-Pak) |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V |
Verlustleistung (max): | 110W (Tc) |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen: | TSM80N1R2CP ROGCT TSM80N1R2CP ROGCT-ND TSM80N1R2CPROGCT |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 30 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 685pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.4nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |