Interne Teilenummer | RO-SQJ958EP-T1_GE3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V |
Leistung - max: | 35W |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1075pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal: | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |