SQ4961EY-T1_GE3
- Artikelnummer:
- SQ4961EY-T1_GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 56738 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SQ4961EY-T1_GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SQ4961EY-T1_GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Leistung - max: | 3.3W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | SQ4961EY-T1_GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1140pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.4A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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