SIHU3N50D-E3
- Artikelnummer:
- SIHU3N50D-E3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 41324 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SIHU3N50D-E3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SIHU3N50D-E3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-251AA |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 69W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | SIHU3N50D-E3CT SIHU3N50D-E3CT-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 13 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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