SIHS90N65E-E3
- Artikelnummer:
- SIHS90N65E-E3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 70224 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SIHS90N65E-E3.pdf
Einführung
We can supply SIHS90N65E-E3, use the request quote form to request SIHS90N65E-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHS90N65E-E3.The price and lead time for SIHS90N65E-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHS90N65E-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SIHS90N65E-E3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 11826pF @ 100V |
| Spannung - Durchschlag: | SUPER-247 (TO-274AA) |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 29 mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Digi-Reel® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 87A (Tc) |
| Polarisation: | TO-247-3 |
| Andere Namen: | SIHS90N65E-E3DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SIHS90N65E-E3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 591nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 650V |
| Kapazitätsverhältnis: | 625W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SIHS90N65E-E3
läst Nachrichten
- Toshiba startet SmartMCD -Gate -Treiber IC mit eingebettetem Mikrocontroller
- ADI -Bereitstellung Sambanova -Kit, die die Produktionsformel AI fördert, um einen Durchbruch auf Unternehmensebene zu erzielen
- Honeywell und Adi haben sich den Händen angeschlossen, um die Innovation und den Wandel der Bauenautomatisierung zu fördern
- Maxim kündigte den Start an
- Maxim startet einen Auto-DC-DC-Konverter MAX16984, ein Auto mit integrierten USB-Ladeumzähern
- Renesas Electronics startet den ersten programmierbaren elektrischen Treiber der Branche IC
- Renesas startete die erste Generation von 32-Bit-RISC-V-CPU-Kernel
- Vishay startete die neue 10 -MBD -Leuchterkupplung mit niedriger Leistung von bis zu 5 mA, der Spannungsbereich beträgt 2,7 V bis 5,5 V.
- MELEXIS hat eine neue intelligente Lösung für die Integration zuverlässiger Sicherheit gestartet
- Toshiba hat das erste 2200V -Dual -Carbide -MOSFET -Modul der Branche entwickelt, um die effiziente und miniaturisierende Industriegeräte zu unterstützen
- Die DDR5 -Ära nähert sich und neue Herausforderungen können nicht ignoriert werden
- Renesas eröffnet die nächste Generation CAR SOC- und MCU -Prozessorproduktroutenkarte