SIHB22N65E-GE3
- Artikelnummer:
- SIHB22N65E-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 72918 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SIHB22N65E-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SIHB22N65E-GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 2415pF @ 100V |
| Spannung - Durchschlag: | D2PAK |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22A (Tc) |
| Polarisation: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SIHB22N65E-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 19 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SIHB22N65E-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 110nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 650V |
| Kapazitätsverhältnis: | 227W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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