Interne Teilenummer | RO-SI3447CDV-T1-E3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Verlustleistung (max): | 2W (Ta), 3W (Tc) |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Andere Namen: | SI3447CDV-T1-E3CT |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 910pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 8V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 12V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |