Interne Teilenummer | RO-S34MS16G202BHI000 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 45ns |
Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.95 V |
Technologie: | FLASH - NAND |
Supplier Device-Gehäuse: | 63-BGA (11x9) |
Serie: | MS-2 |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 63-VFBGA |
Andere Namen: | 428-4284 S34MS16G202BHI000-ND |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 16Gb (4G x 4) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | FLASH |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND Memory IC 16Gb (4G x 4) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) |
Zugriffszeit: | 45ns |
Email: | [email protected] |