S34MS08G201BHB000
- Artikelnummer:
- S34MS08G201BHB000
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
- Beschreibung:
- IC FLASH 8G PARALLEL
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 81495 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- S34MS08G201BHB000.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-S34MS08G201BHB000 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 45ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologie: | FLASH - NAND |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 8Gb (1G x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | FLASH |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 45ns |
| Zugriffszeit: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
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