S27KS0641DPBHA020
- Artikelnummer:
- S27KS0641DPBHA020
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
- Beschreibung:
- IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 40158 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- S27KS0641DPBHA020.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-S27KS0641DPBHA020 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologie: | DRAM |
| Supplier Device-Gehäuse: | 24-BGA (6x8) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 24-TBGA |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 64Mb (8M x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8) |
| Uhrfrequenz: | 166MHz |
| Zugriffszeit: | 40ns |
| Email: | [email protected] |
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