RGW80TK65DGVC11
- Artikelnummer:
- RGW80TK65DGVC11
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 75003 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- RGW80TK65DGVC11.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-RGW80TK65DGVC11 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 15V, 40A |
| Testbedingung: | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 44ns/143ns |
| Schaltenergie: | 760µJ (on), 720µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3PFM |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 92ns |
| Leistung - max: | 81W |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 110nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V 39A 81W Through Hole TO-3PFM |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 160A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 39A |
| Email: | [email protected] |
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