PH5525L,115
- Artikelnummer:
- PH5525L,115
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 64379 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PH5525L,115.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-PH5525L,115 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.15V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 62.5W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Andere Namen: | 934060924115 PH5525L T/R PH5525L T/R-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2150pF @ 12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.6nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 25V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 25V 81.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 81.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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