PDTA123ES,126
- Artikelnummer:
- PDTA123ES,126
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 61687 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PDTA123ES,126.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-PDTA123ES,126 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 500mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen: | 934057559126 PDTA123ES AMO PDTA123ES AMO-ND |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 20mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | PDTA123 |
| Email: | [email protected] |
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