NGTG35N65FL2WG
NGTG35N65FL2WG
Artikelnummer:
NGTG35N65FL2WG
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 650V 60A 167W TO247
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
88679 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NGTG35N65FL2WG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-NGTG35N65FL2WG
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 35A
Testbedingung:400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:72ns/132ns
Schaltenergie:840µJ (on), 280µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247-3
Serie:-
Leistung - max:300W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:NGTG35N65FL2WGOS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:9 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Field Stop
Gate-Ladung:125nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Field Stop 650V 70A 300W Through Hole TO-247-3
Strom - Collector Pulsed (Icm):120A
Strom - Kollektor (Ic) (max):70A
Email:[email protected]

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