NGTD28T65F2WP
- Artikelnummer:
- NGTD28T65F2WP
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 60541 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NGTD28T65F2WP.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-NGTD28T65F2WP |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 75A |
| Testbedingung: | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | - |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | Die |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Die |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 200A |
| Email: | [email protected] |
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