Interne Teilenummer | RO-MR4A08BMA35 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 35ns |
Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Supplier Device-Gehäuse: | 48-FBGA (10x10) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 48-LFBGA |
Andere Namen: | 819-1051 MR4A08BMA35-ND |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 5 (48 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 16Mb (2M x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | RAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 35ns 48-FBGA (10x10) |
Zugriffszeit: | 35ns |
Email: | [email protected] |