Interne Teilenummer | RO-MB85RS64PNF-G-JNE1 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen: | MB85RS64PNF-G-JNE1 865-1178 MB85RS64APNF-G-JNE1 MB85RS64PNFGJNE1 |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 64Kb (8K x 8) |
Speicherschnittstelle: | SPI |
Speicherformat: | FRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) SPI 20MHz 8-SOP |
Uhrfrequenz: | 20MHz |
Email: | [email protected] |