JANTXV1N6630US
Artikelnummer:
JANTXV1N6630US
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
RoHS-Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Menge auf Lager:
75337 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
JANTXV1N6630US.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-JANTXV1N6630US
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.4V @ 1.4A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1000V
Supplier Device-Gehäuse:D-5B
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/590
Rückwärts-Erholzeit (Trr):50ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SQ-MELF, E
Andere Namen:1086-19997
1086-19997-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss:-65°C ~ 150°C
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp:Standard
detaillierte Beschreibung:Diode Standard 1000V 1.4A Surface Mount D-5B
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:2µA @ 1000V
Strom - Richt (Io):1.4A
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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