JANTX2N2920
- Artikelnummer:
- JANTX2N2920
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- NPN TRANSISTOR
- RoHS-Status:
- RoHS nicht konform
- Menge auf Lager:
- 53799 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- JANTX2N2920.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-JANTX2N2920 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Transistor-Typ: | 2 NPN (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-78-6 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/355 |
| RoHS-Status: | RoHS non-compliant |
| Leistung - max: | 350mW |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-78-6 Metal Can |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 23 Weeks |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 300 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
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