GB01SLT12-252
- Artikelnummer:
- GB01SLT12-252
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 61165 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- GB01SLT12-252.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-GB01SLT12-252 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.8V @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 1200V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252 |
| Geschwindigkeit: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 0ns |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | 1242-1126-6 |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 19 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Silicon Carbide Schottky |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Surface Mount TO-252 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 2µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io): | 1A |
| Kapazität @ Vr, F: | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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